Потребление энергии
RAS to CAS Delay (tRCD)
40
Row Precharge Delay (tRP)
40
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Дополнительные характеристики
Пропускная способность (МБ/ с)
38400
Линейка
Тип оборудования
Оперативная память
Объем одного модуля (ГБ)
8
Количество модулей в комплекте (шт)
1
Количество чипов на модуле
Дополнительная информация
Сайт производителя
http: / / semiconductor.samsung.com
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
